1.设计DRAM存储器产品中的电路，包括IO接口，DLL、CMD控制器、datapath、设计验证（DFT）、Array阵列设计等其中的一个或者多个模块。
2.模拟、验证和分析内存功能和性能。
3.优化不同PVT条件下的电路时序裕度。
4.为区块描述制作文件。
5.配合PT进行硅后结果调试。
要求：
1.对CMOS电路设计有很好的了解和深入的理解。
2.熟悉spectre、hspice、finesim、Virtuoso等EDA设计工具。
3.有dram全定制电路经验者优先。