研发设计工程师

岗位描述:

1,设计、开发 BAW/SAW filter,duplexers,multiplexers;

2,与工艺研发合作,进行建模,定义属性,为产品提供设计支持;

3,完成FBAR芯片的电磁(EM)仿真,使得性能满足指针要求;

4,封装基板设计(LTCC/BT),满足各项产品指针;

5,撰写技术文档及模拟设计报告;

6,编写设计软件。

任职要求:

1. 有射频/微波领域工作经历,了解FBAR/SAW相关研究和设计经历优先;设计领域最少 3 年工作经验,拥有使 用/开发高级建模技术进行滤波电路设计的技能,在组件的设计、模拟、物理建模、测量性能等 步骤中进行自由转化;

2. 熟练使用ADS,HFSS,Allegro,Comsol等原理图设计,电磁建模,封装相关软件;

3. 对于FBAR 或SAW 工艺有一定程度了解,且理解声波相关知识;

4. 具备Matlab、C/C++等语言编程能力;

5. 熟练使用矢网、频谱仪等常用测试仪器;

6. 有相关国际大厂工作经验者优先 (Broadcom、Qorvo、TDK、Skyworks);

7. 双工、多工开发经验者优先;

8、硕士学历,射频通信/微电子相关专业。

公司地点:武汉武汉衍熙微器件有限公司武汉江夏区藏龙岛藏龙大道19

公司简介:

职位发布者:吴女士

武汉光钜微电子有限公司

融资阶段:

公司规模:

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