工作地点不限，优先武汉、西安、大连
1、参与基于工艺节点(14/12nm、7/5nm)的GPU和存储器等大型芯片中，各种全定制高速高性能混合电路和计算内核模块的设计仿真流片全流程 ；
2、参与负责数模混合电路IP的前端设计、前后仿真、测试和系统验证的工作，指导协助完成版图设计并编写相关技术设计和测试等文档；
3、参与先进工艺芯片模拟和VLSI电路设计，含全球最新的DDR1、GDDR6X、Chiplet、HBM1、HDMI、audio codec、高精度PLL、CDR、高速ADC和DAC等。
岗位要求：
1、微电子、半导体及理工类相关专业，本科及以上学历，2年以上相关学习或项目经验 ；
2、熟悉模块运放、比较器、带隙基准、振荡器、PLL、DLL、VLSI高速时钟电路等常用的设计、前后端分析和验证方法；
3、具备较强的模拟基础和VSLI高速电路理论功底，擅长考虑非理想条件下的模拟设计和VLSI电路分析、理解post layout分析和时 序 ；
4、有学习新的相关技术和工具的热情，具有逻辑和创造性的思维能力，具有英语交流能力，沟通和解决问题的能力。