岗位要求：
硕士8年以上，博士5年以上，
有过高速率直调激光器或EML Inp集成器件或 大功率激光器
或10GAPD/25GAPD；单光子PD；长波1.7~2.0umPD产品开发经验优先
有一定的外延结构设计能力，至少会用一款模拟软件，可对半导体能带、量子井能级、光场等建立基础模型等。