岗位职责：
1． 负责SSD及UFS产品PCIe、DDR、MIPI、ONFI等高速接口设计，含原理图及PCB设计、SIPI仿真、linktraining、PHY驱动配置及接口性能测试验证；
2． 负责芯片高速接口测试、调试及验证，负责系统解决方案产品高速接口问题分析解决；
3． 负责SSD及UFS产品高速接口一致性测试及问题分析解决；
4． 负责产品高速接口RMA问题分析；
5． 负责高速接口协议标准演进预研；
任职要求：
1． 本科以上学历，计算机、电子、通信等相关专业，5年以上硬件设计开发经验;
2． 熟悉PCIe、DDR、MIPI、ONFI等高速接口协议及PHY设计；
3． 对Serdes电路架构有一定的理解，熟悉CTLE/TIA/CDR/DFE/SSTdriver/LowjitterPLL等模块基本特性，有相关设计检验及调试经验优先
4． 熟练运用OrCAD/Allegro/AutoCAD等常用开发设计软件，熟悉PCB制版工艺，有6层板以上layout设计经验，对EMC、EMI电路设计有较深了解；
5． 能够熟练使用高速示波器、误码仪、信号分析仪、矢量网络分析仪、频谱分析仪等测试仪器对高速信号进行CTS测试验证，具有信号完整性方面的相关知识和设计经验；
6． 具备良好的沟通能力、分析和解决问题的能力；
7． 工作责任感强，有较好的钻研精神和团队合作意识。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。