工作职责
1. 运用TEM/FIB/SEM/EELS/EDS/PED/4D-STEM/i-DPC等工具，针对产品研发问题提供分析方案与思路，快速输出准确结果。
2. 支持量产部门TEM/FIB/SEM/EELS/EDS/PED等分析需求，提出解决方案以保障工艺稳定性。
3. 开发先进分析技术，满足公司当前及未来需求，保持技术领先性。
4. 跨团队协作推进降本增效。
任职资格
1. 半导体行业经验6年+，IDM背景优先。
2. TEM/EELS/EDS等分析经验8年+，界面/表面分析经验优先。
3. 行业管理经验3年+，兼具TEM量测经验优先。
4. 博士学历。
公司简介
长江存储科技（2016年成立，总部武汉）为全球领先的3D NAND闪存IDM企业，提供晶圆、颗粒、嵌入式存储芯片及消费级/企业级SSD等解决方案，产品应用于通信、数码、计算与数据中心等领域。
技术里程碑：
- 2017年：研发中国首款3D NAND闪存。
- 2019年：量产64层TLC 3D NAND（搭载自主Xtacking®架构）。
- 2020年：突破128层TLC/QLC技术，X2-6070型号QLC闪存创行业IO速度、密度、单颗容量纪录。
研发布局：武汉、上海、北京等地设研发中心，全球员工6000+（研发工程师2200+）。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。