DDR PHY-数字前端设计工程师(J12261)

工作职责:

地点:武汉、成都、苏州、上海

1、参与基于先进工艺节点的DDR PHY(D2D/HBM/GDDR/LPDDR456/DDR45/DIMM等颗粒的)的模块设计和流片,满足性能、功耗、面积、稳定性设计需求;

2、能够熟练使用工具完成DDR PHY的功耗、面积分析和优化;

3、能够协助和指导验证制定验证计划,并解决验证出的问题;

4、支持国内/外客户完成PHY的Bring up;

5、熟练掌握数字前端设计中时序优化和功耗优化的方法学;

6、有相关数模混合接口IP开发经验;

任职资格:

1、微电子、电子工程等相关专业本科及硕士以上学历,3年以上芯片数字前端设计等相关工作经验;

2、具有数模混合芯片开发经验者优先;

3、有DDRPHY开发经验或者使用经验者优先;

4、熟悉DFI接口协议者优先

5、熟练使用相关EDA工具;

6、熟练使用tcl/perl/shell/Python/Makefile等工具编程,脚本能力强者优先;

7、能够熟练使用英语进行写作和交流的优先;

8、思维灵活,有系统观念,具备较强的分析和解决问题能力、团队合作精神和良好的沟通技巧。

公司地点:上海浦东新区二十一世纪中心大厦506室

公司简介:

职位发布者:冯经理

芯动微电子科技(北京)有限公司

融资阶段:

公司规模:

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