工作职责
1.负责高密度 NOR Flash 存储单元阵列架构设计;
2.负责低功耗控制电路设计方案与实现；
3.负责存储容量多芯片扩展方案与实现；
4.负责高可靠性模拟电路设计方案与实现，包括高压电荷泵、高精度高速灵敏放大器、温度补偿等电路；
5.负责结合 NOR FLASH 存储 IP 特点，开发检错和纠错引擎，评估磨损均衡优化方案；
6.负责指导版图工程师完成高密度版图规划，优化 ESD 防护及 IR Drop 问题；
7.制定存储阵列的测试方案，分析失效机制，提升良率。
8.设计符合相关标准的可靠性方案；支持宽温范围测试，主导存储体 IP 的各类环境试验并能够主持分析工作。
任职资格
1.硕士及以上学历，五年以上以验；
2.掌握 NOR Flash 架构原理，精通电荷泵、灵敏放大器、振荡器等模拟模块设计；具备多级功耗管理实战经验，熟悉动态和静态功耗优化方法；掌握 ECC 算法、磨损均衡、数据保持增强技术，熟悉 JEDEC 标准及高安全要求；熟悉 65nm 及以下典型工艺，具备相关工艺分析能力；
3.熟练使用相关仿真工具，熟悉 Perl/Tcl 脚本开发自动化设计流程。具备一定的验证与测试平台搭建经验，熟悉 MBIST/DFT 设计及 ATE 测试向量生成。具备多款产品成功流片经验；
4.能独立完成硅后失效分析，优化良率及长期可靠性提升。